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上海馬弗爐科技 單溫區(qū)等離子PECVD系統(tǒng)

簡要描述:MFLPECVD408-12是一款PECVD系統(tǒng)的管式爐系統(tǒng)。由真空管式爐、射頻電源、供氣系統(tǒng)、真空系統(tǒng)組成。 最高溫度可以達(dá)到1200度,采用30段程序溫控儀表,K型熱電偶,爐膛為高純氧化鋁陶瓷纖維,此設(shè)備可用于生長納米線或用CVD方法制備各種薄膜。

  • 產(chǎn)品型號:MFLPECVD408-12
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時間:2024-06-11
  • 訪  問  量:1713

詳細(xì)介紹

一、產(chǎn)品描述

MFLPECVD408-12是一款PECVD系統(tǒng)的管式爐系統(tǒng)。由真空管式爐、射頻電源、供氣系統(tǒng)、真空系統(tǒng)組成。  最高溫度可以達(dá)到1200度,采用30段程序溫控儀表,K型熱電偶,爐膛為高純氧化鋁陶瓷纖維,此設(shè)備可用于生長納米線或用CVD方法制備各種薄膜。



二、產(chǎn)品特點

  • 1、通過射頻電源把石英真空室內(nèi)的氣體變?yōu)殡x子態(tài)。

  • 2、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積所需的溫度更低

  • 3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應(yīng)力大小

  • 4、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩(wěn)定性高。

  • 5、廣泛應(yīng)用于:各種薄膜的生長,如:SiOx, SiNx, SiOxNy 和無定型硅(a-Si:H) 等。


二、技術(shù)參數(shù)

設(shè)備型號

MFLPECVD408-12

管式爐

控溫范圍

室溫-1200℃

工作溫度

≤1100℃

加熱區(qū)長度400mm
石英管
直徑 80mm,長 1400mm  (管徑可選 50, 60 ,100)

控溫精度

<1000     ±0.1℃ ; ≥1000±1℃

恒溫波動

±1℃(測試點為1000℃)

升溫速度

推薦1000度以下≤10℃/min,最快升溫速度≤30℃/min

降溫速度

700℃以上≤10℃/min

爐表溫度

爐體表面溫度小于室溫+10(測量點為1000℃)

測溫元件K型熱電偶
控溫模式
模糊PID控制和自整定調(diào)節(jié),智能化30段可編程控制,具有超溫和斷偶報警功能
電壓功率220V  3KW

供氣系統(tǒng)

氣路通道4路
氣路流量控制質(zhì)子流量控制器(七星流量計)
控制精度±1.5%F.S
重復(fù)精度±0.2%F.S
流量范圍1-500 SCCM
機械壓力表一塊機械壓力表在面板,和混氣灌連接量程:-0.1~0.15 Mpa

真空系統(tǒng)

方案一(低真空:機械泵)

電源220V
極限真空度5X10-1 Pa
抽氣速率
2升/每秒
真空擋板閥 KF25
型號VRD-8
電機功率0.4KW

真空系統(tǒng)

方案二(高真空:機械泵+分子泵機組)

型號GZK-16-600 
電源AC100-240   50/60HZ  
功率1KW 
重量25KG 
極限壓強1.0*10-4Pa
進(jìn)、排氣接口KF40
冷水機最大流量10L/MIN
真空計
復(fù)合真空計
真空控制精度± 1%
真空計測量范圍1.0x10 -   1.0x10-5pa 

電源

(等離子體發(fā)生器)

功率輸出范圍
 0-500W
功率穩(wěn)定度±5W
工作頻率射頻:13.56MHZ±0.005%
匹配方式
自動
冷卻方式風(fēng)冷
噪聲 <50dB

安全

工作環(huán)境

RT±5-40℃

使用保障

開門斷電     超溫報警 漏電保護(hù) 過溫保護(hù)


管式爐

一臺

出廠清單

真空系統(tǒng)一套

供氣系統(tǒng)

一套

射頻電源

一套

高溫手套

卡斯頓一雙

爐勾

一把

氣管

一根

設(shè)備說明書

一份

儀表說明書

一份

保修卡

一份

選購品

移動爐架

不銹鋼

觸摸屏智能儀表

50段編程,可實現(xiàn)與計算機連接。通過專用的計算機控制系統(tǒng)來完成與單臺或多臺電爐的遠(yuǎn)程控制、實時追蹤、歷史記錄、輸出報表等功能。


注:管徑可選:50/60/80/100/120/150/200/300 mm  ,

       溫區(qū)可以做雙溫區(qū),三溫區(qū)等多溫區(qū),

       請聯(lián)系客服
















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